Project · JZ 存储器备忘录

0 动机

Datasheet太多了，点开文件夹查找过于麻烦。作为记性不好又懒得一匹的包工头，不需要动脑写逻辑，只需要了解关键内容。因此摘录sheet要点并加上芯片架构层面的内容和思考，不包含时序和芯片自带功能（例如NAND、MRAM的ECC）的解读，作为一个快捷的备忘录。

1 DDR2

型号：ISSI(芯成 · 美) IS43DR16128C
容量：2Gb = 128M$\times$16b = 8(banks)$\times$16M$\times$16b；
位宽：16b

速率等ORDER INFO：

特征参数

架构

管脚

管脚特征：
没有读使能信号，读使能是通过拉高写使能。
DDR2不像NAND FLASH一样复用IO可能是因为要求高速。
DM掩码某些数据位，而DQS有效化某些数据时刻，作用不一样。

2 NAND FLASH

型号：MICRON(美光 · 美) MT29F128G08AMCABH2
容量：128Gb = 16384(块)$\times$128(页)$\times$8640B；
位宽：8b

特征参数

注意，NAND手册一般不会给出工作在同步模式下的时钟频率。

架构

MT29F128G08AMCABH2有4个LUN。

管脚

为什么这样分配管脚：
比如命令锁存使能(Command Latch Enable,CLE)和地址锁存使能(Address Latch Enable，ALE)，那是因为，Nand Flash就8个I/O，而且是复用的，也就是，可以传数据，也可以传地址，也可以传命令，为了区分…
Nand flash支持一个叫做CE(chip enable) don’t-care的技术…由于某些外部应用的频率比较低，而Nand Flash内部操作速度比较快…节省功耗…
参考：智能座舱之存储篇第三篇—-NAND Flash 一眼就看明白了

LUN寻址规则

3 QSPI FLASH

型号：Infineon(原厂Cypress，2019年被Infineon收购 · 美) S25FL128S
容量：128Mb
位宽：4b

EHPLC（Enhanced High-Performance Low Command Mode）增强型高性能低命令模式：
功能：EHPLC 模式专注于在最低的命令开销下提供最高的数据传输速率。通过优化命令和数据传输过程，EHPLC 模式能够实现更高的性能，特别是在需要快速读取大量数据的应用中。
特点：EHPLC 模式可能会使用更高效的命令集和协议来减少延迟和增加吞吐量，从而提供比传统模式更高的性能。
HPLC（High-Performance Low Command Mode）高性能低命令模式：
功能：HPLC 模式也致力于提高数据传输速率，但与 EHPLC 相比，其优化程度可能稍低。HPLC 仍然通过减少命令开销和提高数据传输效率来提供良好的性能。
特点：HPLC 模式通常在标准 QSPI 操作的基础上进行一些优化，使其适用于大多数高性能应用，但可能不如 EHPLC 那样极致优化。

特征参数
注意，这个手册block块=sector扇区

架构

非常草率的架构图。。。

管脚

类似于NAND，QUAD模式4个IO复用指令、地址、数据，并且时分传递。

4 MRAM

型号：EVERSPIN(埃弗斯平 · 美，只做MRAM的小公司，从随意的中文名就可以看出) MR5A16ACYS35
容量：32Mb；位宽：16b

特征参数

架构

架构图非常简单清晰。
“sense amps”（感应放大器）是用来检测和放大存储单元中的信号电压的电路。这些感应放大器的作用是读取MRAM单元的状态，即确定存储单元中存储的是0还是1。具体来说，MRAM的存储单元通过磁性材料的磁化方向来表示数据，而感应放大器则通过检测这些磁化方向造成的电压变化来读取数据。